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微型真空探針臺(tái)在晶圓測(cè)試中的使用

更新時(shí)間:2022-04-21點(diǎn)擊次數(shù):1411
  微型真空探針臺(tái)可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試(4.2K~500K),可升級(jí)加載磁場(chǎng),低溫防輻射屏設(shè)計(jì),樣品臺(tái)采用高純度無氧銅制作,溫度均勻性更好,溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的PT100或者標(biāo)定過的硅二極管作為測(cè)溫裝置,支持光纖光譜特性測(cè)試,兼容高倍率金相顯微鏡,可微調(diào)移動(dòng),器件的高頻特性(支持高67GHz頻率),探針熱沉設(shè)計(jì),LD/LED/PD的光強(qiáng)/波長測(cè)試,自動(dòng)流量控制,材料/器件的IV/CV特性測(cè)試等。
  微型真空探針臺(tái)在晶圓測(cè)試中的使用:
  晶圓測(cè)試(Chip Probing,簡稱CP),是指用探針對(duì)生產(chǎn)加工完成后的晶圓產(chǎn)品上的芯片或半導(dǎo)體元器件功能進(jìn)行測(cè)試,驗(yàn)證是否符合產(chǎn)品規(guī)格。
  測(cè)試過程需要探針和測(cè)試機(jī)配合使用,探針臺(tái)將晶圓逐步自動(dòng)傳送至測(cè)試位置,芯片的引腳通過探針、專用連接線與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接,測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào),判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測(cè)試結(jié)果通過通信接口傳送給探針臺(tái),探針臺(tái)據(jù)此對(duì)芯片進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記,形成晶圓結(jié)果映射圖(Mapping),盡可能將無效的芯片標(biāo)記出來以節(jié)約封裝費(fèi)用。
  微型真空探針臺(tái)在成品測(cè)試中的使用:
  成品測(cè)試(Final Test,簡稱FT),又稱終測(cè),是指對(duì)封裝完成后的芯片進(jìn)行功能和電參數(shù)測(cè)試,保證出廠的每顆芯片的功能和性能指標(biāo)能夠達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證的測(cè)試環(huán)節(jié)與成品測(cè)試環(huán)節(jié)較為相似。
  測(cè)試過程需要分選機(jī)和測(cè)試機(jī)的配合使用,分選機(jī)將被測(cè)芯片逐個(gè)自動(dòng)傳送至測(cè)試工位,被測(cè)芯片的引腳通過安裝在測(cè)試座上的探針與測(cè)試機(jī)的功能模塊進(jìn)行連接,測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)并采集輸出信號(hào),判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范要求。測(cè)試結(jié)果通過通信接口傳送給分選機(jī),分選機(jī)據(jù)此對(duì)測(cè)試芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選、收料或編帶。
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